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铁电器件课题组(王晓磊)

简介 半导体存储器件

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田凤彬博士的的IEEE TED文章发表

18.11.2021

恭喜田凤彬博士的文章“Impact of Interlayer and Ferroelectric Materials on Charge Trapping during Endurance Fatigue of FeFET with TiN/HfxZr1-xO2/interlayer/Si (MFIS) Gate Structure”发表在IEEE

欢迎新成员加入

27.08.2021

欢迎 贾新培、邵宪周、戴塞飞、廖敏、徐双双、李宋伟6人从国科大回到微电子所,开展研究工作

孙晓清博士的IEEE TED文章发表

15.08.2021

恭喜孙晓清博士的文章“The effect of interface traps at the Si/SiO2 interface on the transient negative capacitance of ferroelectric FETs”发表在IEEE TED杂志上

张元元博士的APL文章发表

13.07.2021

恭喜张元元博士的文章“Thermodynamic driving force of transient negative capacitance of ferroelectric capacitors”发表在APL杂志上