FeFET是非常有前景的存储器方案之一,尤其HfZrO铁电薄膜的发现,更使得Si衬底上HfZrO FeFET器件展现出巨大的前景。然而,疲劳特性(endurance)却是当前巨大挑战之一。本课题组专注研究HfZrO薄膜Si FeFET的疲劳特性,涵盖器件、材料、物理研究,具体包含以下几方面: (1)栅结构注入/反注入效应(trapping/de-trapping) (2)栅缺陷钝化 (3)HfZrO铁电薄膜调制