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论文

Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation

铁电器件课题组(王晓磊) , 中国科学院微电子研究所

Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure

铁电器件课题组(王晓磊) , 中国科学院微电子研究所

Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack

铁电器件课题组(王晓磊) , 中国科学院微电子研究所

Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions

铁电器件课题组(王晓磊) , 中国科学院微电子研究所

A possible origin of core-level shift in SiO2/Si stacks

铁电器件课题组(王晓磊) , 中国科学院微电子研究所

Experimental estimation of charge neutrality level of SiO2

铁电器件课题组(王晓磊) , 中国科学院微电子研究所