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Simulation for the feasibility of high-mobility channel in 3D nand memory
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Investigation for the Feasibility of High-Mobility Channel in 3D NAND Memory
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si₀ٜ₄₅Ge₀ٜ₅₅, Ge Gate-All-Around NSFET for 5nm Technology Node
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Tuning of few-electron states and optical absorption anisotropy in GaAs quantum rings
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FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin
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Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 Tri-Layer High-κ Dielectrics and High Work Function Metal Gate
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Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process
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Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Fabrication and Characterization of p-Channel Charge Trapping Type FOI-FinFET Memory with MAHAS Structure
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Rashba spin-orbit coupling in graphene monolayer coated by periodic magnetic stripes
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