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−400 mA mm<sup>−1</sup>Drain Current Density Normally-Off Polycrystalline Diamond MOSFETs
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
C-Si Interface on Sio2/(111) Diamond P-Mosfets with High Mobility and Excellent Normally-Off Operation
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Impact of deposition temperature on microstructure and properties of erbium oxide antireflective films deposited on CVD diamond substrates
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
The 7-in. freestanding diamond thermal conductive film fabricated by DC arc Plasma Jet CVD with multi-stage magnetic fields
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Evolution of growth characteristics around the junction in the mosaic diamond
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Reliable Ohmic Contact Properties for Ni/Hydrogen-Terminated Diamond at Annealing Temperature up to 900 °C
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Fabrication of low stress GaN-on-diamond structure via dual-sided diamond film deposition
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Effect of grain boundary on polycrystalline diamond polishing by high-speed dynamic friction
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Graphitization of CVD diamond grain boundaries during transient heat treatment
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
Enhancement of diamond seeding on aluminum nitride dielectric by electrostatic adsorption for GaN-on-diamond preparation
碳基材料与功能薄膜实验室 , 北京科技大学
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