石墨烯-黑磷异质结

黑磷具有直接带隙和高载流子迁移率的优点，非常适合红外光探测，但稳定性较差。2017年张晗等人利用石墨烯-黑磷异质结制作成具有超高响应度和长期稳定性的红外光电探测器，将石墨烯覆盖在黑磷上方，不仅能够起到保护黑磷的作用，而且能够形成高效传输层。在光激发下，黑磷中产生的电子空穴对注入到石墨烯中，可极大地降低黑磷与金属之间的肖特基势垒，从而高效提取光电流。

1MoS₂/graphene异质结白光探测器

基于光电化学型的光探测方法具有结构简单、成本低的优点，已经被用于半导体、P-N结、肖特基二极管和其他二维材料的光响应测量。2015年张晗等人将MoS₂/graphene异质结作为电极，制备了新型光电化学型光探测器[31]。

黑磷纳米片自驱动光电探测器

2017年张晗等人利用黑磷纳米片制备了光电化学型自驱动光电探测器，获得了不错的个响应以及环境稳定性[32]。

铋烯量子点光探测技术

二维铋烯的优异特性使其得到广泛的研究兴趣，2018年张晗等人利用液相剥离法获得了超小铋烯量子点，并应用于光电化学型光探测技术，得到了宽带光响应、长时间稳定性及开关特性[33]。

少层InSe纳米片光探测技术

由于具有优异的电输运特性和光响应特性,二维InSe引起了越来越多的关注。2018年张晗等人利用液相剥离法获得了直接带隙的少层InSe纳米片，并应用于光电化学型光探测器中，具有高的光电流密度、高响应度和稳定的开关特性[34]。

Bi₂S₃纳米片光探测技术

Bi₂S₃具有厚度相关的直接带隙、高的吸收系数和相对高的载流子迁移率，因而受到关注。2018年张晗等人利用液相剥离法获得了无毒的类石墨烯的Bi₂S₃纳米材料，并应用于光电化学型光探测器中，具有较高的光电流密度和增强的光响应度[35]。