发光波长位于200-400 nm的紫外光源作为核心部件，广泛应用于杀菌消毒和紫外固化等领域，目前应用最为广泛的紫外光源为气态汞灯。然而，随着《联合国关于汞的水俣公约》于2017年在我国生效，新的原生汞矿已无法开采，汞灯的生产和使用逐渐受到限制，发展替代传统气态汞灯的新型环保紫外光源成为迫切需求。基于AlGaN材料的全固态紫外LED因其体积小、能耗低、寿命长、无毒环保等特点被认为是最有希望替代汞灯的环保型光源；除了杀菌消毒、紫外固化等传统应用领域，深紫外LED还在短距离非直线通讯、有毒气体探测、空间探测电荷处理等新应用领域具有广阔的应用前景。
目前，实验室已经开展了面向紫外LED的多项关键技术研究，包括高质量AlN/Sapphire和GaN/Sapphire模版、高辐射复合效率深紫外低维量子结构、高Al组分AlGaN的高效p型掺杂、高效率近紫外和深紫外LED芯片制备。并在高质量AlN/Sapphire模版方面取得重大突破，其晶体质量处于国际领先水平，被工业界知名媒体杂志《Semiconductor Today》以头条新闻的形式报道。
