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BN、Ga2O3等新型超宽禁带材料和器件
BN、Ga2O3等新型超宽禁带材料和器件
3 年 之前
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MOCVD材料外延 博士
实验室现需要具备MOCVD外延生长经验的博士，可以进行AlInGaN材料体系的材料外延工作，熟悉材料微结构、光学特性、电学特性的表征和分析工作。
3 年 之前
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