先进器件及集成电路制造工艺实验室
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Introduction to the laboratory
方文章研究员，浙江大学杭州国际科创中心“求是科创学者”，兼聘集成电路学院，兼聘浙江省集成电路创新平台PEE-DIFF部门。2011年本科毕业于华东理工大学应用化学系，2014年获国家留学基金委资助公派法国里昂一大做联合培养博士，在法国国家科学研究中心（CNRS）进行科学研究，2017年于华东理工大学获博士学位（导师：张金龙 教授，欧洲科学院院士），之后在浙江大学从事博士后研究（导师：高超 教授，国家杰青），主要方向为二维材料的制备及其光电探测研究，2023年加盟浙江大学杭州国际科创中心，从事CMOS工艺的开发。
在Adv. Mater.、Carbon、Appl. Phys. Rev.、Appl. Catal. B 等权威学术期刊上发表论文40 余篇，引用2000 余次，撰写英文综述3篇，授权国内发明专利7项，国际发明专利1项，主持国家自然科学基金青年项目、 JKW“JCJQ”、浙江大学高分子新物质创制国际研究中心项目、浙江大学“以民促J”基础培育计划、浙江大学微纳电子学院CMOS平台建设青年科研专项等项目，参与JKW "CXTQ"、ZF“HYXD”等多个重要科研项目。担任Frontiers in Environment Chemistry、Polymers 等期刊的客座编辑。
研究领域：
基于CMOS成套工艺开发，围绕PEE-DIFF部门Furnace、RTP、IMP等工艺特色，推进CMOS Baseline、eFlash、BCD、智能制造等项目的开发，并进行有组织科研工作。具体如下：
1.先进CMOS扩散工艺均匀性研究
2.eFlash器件的ONO结构研究
3.用于先进芯片虚拟制造的计算热力学研究
4.基于PINNs的CMOS智能制造扩散工艺模型开发
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